軟銀子公司 SAIMEMORY 與英特爾公開 ZAM 架構，部分技術細節曝光

綜合外電報導，英特爾與軟銀旗下子公司 SAIMEMORY 近日公開新一代記憶體技術 Z-Angle Memory（ZAM），並同步揭露部分架構與效能設計細節。相關內容已於 2 月 3 日舉行的 Intel Connection Japan 2026 活動中首度對外說明。

本次發表重點聚焦於 ZAM 記憶體架構。相較傳統 DRAM 多採用平面堆疊設計，且在功耗與散熱限制下使堆疊層數逐步逼近極限（目前約 16 層、預估上限約 20 層），ZAM 改以 Z 軸方向垂直排列晶粒（die） 的方式進行封裝。

透過垂直導熱路徑，各層晶粒產生的熱量可更均勻向上傳導，被視為有望緩解高頻寬記憶體長期面臨的散熱瓶頸。

根據外電報導，該架構有望同時實現更低功耗、更大容量與更高頻寬，其中可能包括功耗可降低約 40% 至 50%、透過 Z-Angle 互連簡化製造流程，以及單顆晶片容量最高可達 512GB 等潛在提升，展現與高頻寬記憶體（HBM）市場競爭的企圖。

SAIMEMORY CEO 山口秀哉表示，AI 正帶來可能超越歷次產業革命的結構性變革，公司期望在此關鍵時期提供核心記憶體解決方案。

隨著英特爾展示 ZAM 原型並釋出初步技術路線，顯示該專案正由研究階段邁向實際產品化進程。若技術順利落地，未來高頻寬記憶體市場的競爭格局，可能因此出現新的變數。

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（首圖來源：SoftBank）

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