支援輝達 Rubin 美光 HBM4 邁入量產、Q1 放量出貨

作者 | 發布日期 2026 年 03 月 17 日 9:10 | 分類 Nvidia , 半導體 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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支援輝達 Rubin  美光 HBM4 邁入量產、Q1 放量出貨

美國記憶體巨頭美光(Micron)宣布已開始量產為輝達 Vera Rubin GPU 平台打造的 HBM4 記憶體、PCIe 6.0 資料中心 SSD 和 SOCAMM2 模組,成為首家同時為 Vera Rubin 生態系提供三項產品並進入量產階段的供應商。

綜合外媒報導,美光在輝達GTC大會上宣布,已開始大規模量產為輝達Vera Rubin平台打造、採12層堆疊技術的36GB HBM4記憶體,並於首季放量出貨;HBM4頻寬超過2.8 TB/s,能源效率相較於前代產品HBM3E提升逾20%。

美光也展示了領先業界的16層晶片堆疊封裝技術,稱已向客戶送樣HBM4 48GB 16H樣品;這項技術可讓單顆HBM晶片容量大幅提升33%。

美光也宣佈開始大規模生產Micron 9650資料中心SSD,為業界首款基於PCIe 6.0標準打造並量產的資料中心SSD,讀取效率為第五代產品的兩倍;以及容量192GB的SOCAMM2記憶體模組,為Vera Rubin平台上的AI和HPC工作負載擴展了低功耗、高容量內存。

美光在新聞稿中指出,AI優化的記憶體與儲存已成為關鍵資產,能提升系統效能,助AI工作負載與基礎建設創造實際價值。

美光執行副總裁Sumit Sadana指出,美光與輝達緊密合作,確保運算與記憶體從設計之初就能同步擴展。美光HBM4作為AI的引擎,結合業界首創的SOCAMM2與Gen6 SSD,構成釋放次世代AI潛力的核心基石。

美光股價16日大漲3.68%,收441.80美元,年初迄今大漲逾五成;美光預定3月18日美股盤後公布財報。

美光16日宣布完成以18億美元收購力積電銅鑼廠的交易案,並規劃再興建第二座晶圓廠,完成後可望助全球產能擴增20%。

Susquehanna分析師Mehdi Hosseini近期將美光目標價一口氣調高至525美元,看好記憶體市場報價更趨強勁,HBM4可能代表DRAM平均報價與毛利率的高峰。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:美光

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