高通攜手長鑫存儲開發手機客製化 DRAM,因應記憶體供應緊張

作者 | 發布日期 2026 年 04 月 13 日 11:26 | 分類 半導體 , 手機 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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高通攜手長鑫存儲開發手機客製化 DRAM,因應記憶體供應緊張

根據 Wccftech 報導,高通正與中國記憶體廠長鑫存儲合作,開發針對行動裝置的客製化記憶體解決方案,以緩解當前記憶體供應緊張與成本攀升問題。

目前全球記憶體產能正快速向人工智慧(AI)應用傾斜,大量 DRAM 產線轉向生產高頻寬記憶體(HBM),導致原本供應智慧型手機的記憶體資源遭到排擠,不僅供應趨緊,也推升整體成本壓力,對中低階機種影響尤為明顯。

在成本結構方面,記憶體已成為影響手機價格的關鍵因素。以入門機種為例,DRAM 成本占整體物料成本(BOM)約 35%,NAND 則約占 19%,兩者合計達 54%,使品牌廠在定價與出貨策略上面臨更大壓力。

另一方面,高通先前在財報會議中指出,其系統單晶片(SoC)所搭配的 DRAM 多由客戶自行採購,但公司已完成與主要記憶體供應商的相容性驗證。此次進一步與長鑫存儲合作開發客製化記憶體,顯示其正試圖在供應不確定性升高的環境下,提前布局關鍵零組件資源。

此外,聯發科與高通近期亦傳出下調 4 奈米晶片產量。由於該製程產品主要應用於中低階智慧型手機,減產規模約為 2 萬至 3 萬片晶圓。

報導指出,高通與長鑫存儲推動此項合作,被視為穩定訂單與供應節奏的重要策略,同時也反映晶片業者正逐步強化對關鍵元件的掌控。不過,相關記憶體產品初期預料仍將以中國品牌智慧型手機為主要導入對象。

(首圖來源:高通

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