突破手機端 AI 運算極限，華為、小米密謀 LLW 記憶體技術

根據 Wccftech 引述微博爆料者「定焦數碼」的報導，中國手機品牌如華為與小米被傳在研究一種名為「低延遲寬位元組 DRAM」（LLW）的記憶體方案，目標是緩解智慧型手機在本機 AI 運算上的記憶體瓶頸。

報導稱，LLW 採用類似高頻寬記憶體（HBM）的整合式設計思路，但並非真正的 HBM，而是為手機受限的空間與散熱條件所客製化的版本。傳聞指出，若 LLW 能如期量產，將有望帶來約 1.5 倍的頻寬提升，同時功耗可望降低約 50%。不過，報導並未明確指出比較的基準為何；外界與原始報導多半假設這些數據是相較於 LPDDR5X 得出的。

資料來源還指出，短期內（今年內）出現此類更快手機記憶體的機率不高；較有可能的導入時程落在 2027 年下半年。報導同時提及，華為曾被傳研發手機用 HBM、蘋果（Apple）則被傳可能在未來機型採用相關技術，而三星（Samsung）被視為較積極推動手機用 HBM 的廠商之一。

總結來說，LLW 是一項仍屬傳聞的記憶體方案，若屬實可能改善手機本機 AI 的記憶體瓶頸，但關鍵細節（含實際測試基準、供應鏈可行性與量產時程）尚未公開或未獲獨立驗證，需待更多資訊與官方、供應鏈證實。