劍指韓國 DRAM 雙雄、長鑫存儲傳搶先布局 DDR6

DDR6 記憶體目前預計於 2028 年至 2029 年間邁入商業化階段。然而，韓媒傳出，中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）及其供應鏈已提前展開布局，企圖趕在三星電子（Samsung）與 SK 海力士（SK hynix）進一步鞏固市場壟斷地位之前搶占先機。

Wccftech 19日引述韓國媒體《ETNews》報導，為了確保從DDR5到DDR6的過渡順暢且高效，長鑫存儲已引進新的製造商，考慮放棄現有用於DDR4與DDR5的生產模式，轉而採用面板級（Panel-based）製程。

韓國封裝基板封裝基板及導線架大廠海成DS（Haesung DS）做為長鑫存儲供應鏈的新成員，已於2026年第一季通過客戶針對DDR5封裝基板的最新品質驗證。過去DDR4與DDR5的生產，主要仰賴一種名為「Reel-to-Reel」的高性價比製程。

然而到了DDR6階段，海成DS開始採用全新的面板級製程。該方法能支援下一代記憶體所需的多層設計，協助維持生產效率並避免技術瓶頸。理論上，現有的「Reel-to-Reel」製程雖然也能用於DDR6製造，但隨著電路層數增加，其獲利能力與生產效率也會下降，這使面板級製程成為更為穩健的選擇。

據傳，蘋果（Apple Inc.）正尋求與長鑫存儲合作，且已在測試其記憶體晶片，這無疑成為長鑫存儲加速DDR6研發的重要動力。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：長鑫存儲）

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