解構 AI 電源完整性：電容市場雙軌並進

過去討論 AI 伺服器電容需求時，多半聚焦在 MLCC：用量增加、高容值產品缺貨、高壓電容需求提升。但隨著 AI 伺服器和高性能運算（HPC）對電源完整性的需求提升，另一個關鍵零組件逐漸受到重視：矽電容。

2026 年 5 月，三星電機宣布與全球大型客戶簽訂約 10 億美元的矽電容長約，交貨期橫跨 2027 至 2028 年；一個月後，三星電機進一步揭示將矽電容、MLCC 與封裝基板整合的策略方向。這也印證了一個市場趨勢：矽電容有望成為 AI/HPC 封裝級電源完整性的重要補充元件。

矽電容與 MLCC 各自在電源完整性中扮演什麼角色？本文將從技術特性出發，比較兩者的分工互補關係，並梳理主要供應鏈的布局動態。

【產業洞察：解構 AI 電源完整性：電容市場雙軌並進】

越靠近晶片，供電越是關鍵！新型矽電容如何打入 AI 封裝核心戰場？

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以下內容節錄自 TrendForce 集邦科技專欄，完整深度分析請參考原文➜

供電瓶頸從 PCB 板端延伸至封裝內部

隨著 GPU TDP（熱設計功耗）持續提升，Power Shelf、VRM、DC-DC 轉換器與 OAM 板端都需要更多的 MLCC 來進行濾波與穩壓，確保 GPU 運算穩定。但與此同時，AI 加速器平台往 chiplet、HBM 與高密度先進封裝演進，電源完整性的挑戰從 PCB 板端延伸至封裝內部。

在 multi-die 架構中，GPU 內可能包含 compute die、I/O die、NVLink I/O die，並與 HBM、矽中介層、封裝基板共同組成高密度系統。每一個 die 與每一組 power domain 都需要獨立且快速響應的去耦網路。如果只依賴板端 MLCC，電流路徑可能過長，寄生電感會限制瞬態響應速度。