SK 海力士發表 321 層 NAND Flash 樣品，效能提升 59%
作者 | 發布日期 2023 年 08 月 09 日 12:30 | 分類 半導體 , 晶片 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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SK 海力士發表 321 層 NAND Flash 樣品，效能提升 59%

南韓記憶體大廠 SK 海力士 8 日宣布，新 321 層堆疊 4D NAND Flash 快閃記憶體樣品，成為業界第一家開發完成 300 層以上堆疊 NAND Flash 的公司。

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