慧榮:記憶體市場下半年好轉,2026 年會有更好表現

作者 | 發布日期 2025 年 02 月 25 日 11:00 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
慧榮:記憶體市場下半年好轉,2026 年會有更好表現

記憶體控制晶片廠慧榮總經理苟嘉章指出,整體記憶體市場預計下半年將會轉好,2026 年將會是個大好年。其中、在 DRAM 部分,DDR5 因為資料中心需求,將會持續看好,則因為中國的供應商庫存量太大,會影響到市場。至於在 NAND Flash 方面,也可望於在第二季底開始復甦,下半年將優於上半年,不排除可能些許的供應吃緊情況。

苟嘉章 24 日與媒體會面時表示,DRAM 是在因為工業產品的市況已經下跌兩年,2025 年開始有復甦的跡象。至於,AI PC 會因為下半年開始的換機時刻,將能帶動 DRAM 的需求。而手機市場也會有回溫,再加上中國政府的補貼,會對 DRAM 造成有利的回恢復件。

中國 AI 推理模型 DeepSeek 發表後,市場發現基礎設施不再需耗費大量資金,小規模應用也能使用,推動邊緣 AI,帶動 DRAM 市場發展性。不過,不一定下半年發生,2026 年會比較明顯,尤其 5 月 COMPUTEX 之後,應用陸續推出會比較明確。

針對 NAND Flash 市場方面,第一季價格將會小幅跌價。不過,目前觀察供應商已開始堅守價格。苟嘉章強調,供應商依市場狀況自然調節供給,是 NAND Flash 供需好轉的主因之一,市場的共識是預估 2025 年 NAND Flash 位元供給將增加約 18%~20%。

(首圖來源:科技新報攝)

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