荷蘭半導體製造設備商 ASM 台灣先藝科技技術副總裁 Glen Wilk 今（9 日）於 SEMICON Taiwan 2025 主題演講中提到，選擇性沉積（Area Selective Deposition）技術能有效解決先進製程中的挑戰，僅在指定位置沉積材料，有助提升製程良率、元件可靠性與整體效能，適用於 2 奈米及以下製程與異質整合、混合鍵合等先進封裝應用。
這次 ASM 技術副總裁 Glen Wilk 在「半導體先進製程科技論壇」中發表主題演講，分享 ASM 如何透過原子層沉積（ALD）與磊晶（Epi）技術的極致精準控制，推動晶片製造挺進 2 奈米至埃米等更先進節點。
隨著人工智慧與高效能運算等應用需求攀升，全球半導體產業預計將於 2030 年突破 1 兆美元規模，晶片架構也正加速邁向垂直 3D 化。ASM 技術副總裁 Glen Wilk 指出，3D 結構對沉積製程的精準度與厚度控制提出更高要求，因此 ALD 與 Epi 技術將成為影響晶片性能與可靠性的關鍵。
隨著 GAA 與 CFET 成為邏輯製程的下一代主流架構。ASM 的 ALD 與 Epi 技術可在複雜3D 結構中提供原子級的高精準度、高均勻性與高階梯覆蓋率的材料沉積，支援高密度、低功耗的電晶體設計。
Wilk 強調，磊晶技術是 GAA 元件的核心，在先進邏輯製程中扮演愈加關鍵的角色。在 FinFET 時代，電晶體內電子流通的通道厚度由微影與蝕刻決定；進入 GAA 時代，通道則透過原子級精準度的磊晶製程技術長出來。ASM 的 ALD 與磊晶技術不僅驅動當今最先進的晶片製造，更是 GAA 與 CFET 技術持續突破的關鍵。
2028 年前 ASM 員工數雙位數成長，加速在台人才布局
與此同時，ASM 同步加速在台人才布局，並預期至 2028年前員工數雙位數成長，持續擴大在台投資，創造更多本地就業機會。
ASM 台灣總經理呂秉澄表示，ASM 即將迎來在台灣深耕的第 20 年，過去五年來，團隊規模成長超過三倍，辦公據點遍布林口、新竹、台中、台南與高雄，展現深耕在地、貼近客戶的承諾。
呂秉澄指出，台灣不僅是 ASM 創新技術的重要前線，更是銷售與在地服務的核心樞紐，持續支援台灣半導體從 2 奈米製程邁向埃米級技術節點的關鍵發展。自今年初至 2026 年底，我們預計將新增超過 100 個職缺，誠摯邀請更多優秀人才加入 ASM，一同推動全球先進晶片製造邁向新世代。
ASM 目前已有超過五成的台灣工程師完成海外訓練，約 32% 工程師參與美國、韓國、日本等地的國際專案支援，並有近 10% 工程師已正式外派美國及日本，展現台灣技術人才在 ASM 全球業務拓展中的關鍵角色與影響力。
（首圖來源：ASM）
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