SK keyfoundry 推出高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質製程

韓國 8 吋純晶圓代工廠 SK keyfoundry 宣布推出具業界領先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質（Thick IMD）電容製程。

數位隔離器的高擊穿電壓特性可增強半導體器件的安全性與可靠性，同時延長器件的使用壽命並提升抗噪。新多層厚金屬間電介質製程支援堆疊最多三層IMD，每層最大厚度達6微米，金屬─絕緣體─金屬（MIM）結構總厚度最高可達18微米。高達19,000V擊穿電壓特性及優異電容性，可製造數位隔離電容器，以及電子電路抑制電容耦合的電容器。

新製程電容成功通過主客戶經時介電層擊穿（TDDB）評估，並符合AEC-Q100國際汽車半導體品質標準，確保嚴苛環境能高可靠性執行。尤其可整合至0.13微米及0.18微米BCD製程，汽車半導體具極高應用價值。SK keyfoundry還提供PDK（製程設計套件）、DRC（設計規則檢查）、LPE（版圖寄生參數提取）、LVS（版圖與電路原理圖一致性檢查）及Pcell（參數化單元）等工具，幫助客戶加速產品開發。

SK keyfoundry強調，電動車、工業、通訊及醫療保健等領域，部分電子設備明確要求高抗噪，與基於傳統光隔離器的設備相比，數位隔離性能、可靠性、整合度及成本效益都有競爭優勢。

SK keyfoundry執行長Derek D. Lee表示：「我們很高興推出業界領先數位隔離器多層厚金屬間電介質，受電動車等電子業廣泛關注。以比競爭對手更出色的大規模量產經驗，SK keyfoundry將持續開發高可靠性隔離技術，不僅為韓國客戶，還為美國、中國和台灣等海外客戶提供世界級製程，滿足客戶多樣化需求。」