受惠於 AI 伺服器需求強勁，三五族群通訊廠 IET-KY（英特磊）的磷化銦（Inp） 磊晶產品訂單持續旺盛。英特磊去年在法說會上表示，奪得美國空軍二期國防合約訂單，而他也將受惠於通訊衛星商機。
低軌衛星對晶片「雜訊控制」和「耐受度」要求極高，因此英特磊專精的磷化銦（InP) 和砷化鎵（GaAs）磊晶片，正是製造這些高頻通訊晶片（HBT、pHEMT）的核心材料。
目前市面上磊晶廠主流是 MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）技術，而 IET 選擇 MBE（分子束磊晶）。MBE 因在超高真空下生長，在厚度控制與界面品質上具有極高準確度，且較乾淨、低污染，大多生產 pHEMT 元件。
考慮外太空資料中心的應用環境，MBE 相較於 MOCVD 具有更顯著的技術優勢，主要體現在抗輻射效能、雜質控制與元件長效可靠性三個方向。因此相較之下，MOCVD 雖適合大量生產，但較容易引入碳或氧等背景雜質，嚴苛環境下 MBE 的精密度更適合軍用衛星和太空監控。
對此，英特磊董事長高永中近日透露，公司去年度磷化銦占營收比重約 50%，今年將衝上 55-60%，目前產品營收與毛利率均不錯，估計出貨量衝上來後，業績有望持續向上發酵，
不過磷化銦基板仍是今年遇到最大的問題與困難，持續短缺仍成同業的整體問題。
英特磊財務長暨發言人王家齊表示，今年度磷化銦產品的毛利率希望能達到 30-40% 以上。
為因應營收不斷成長所需，美國新廠二期擴建已在去年 7 月開始動工，預期今年完工落成，屆時將放置 12 台機器，大部分是做機台硬體構造組件，並將努力開發新產品，而新產能正逐步建置中，為後續營運成長增添動能。
同時，近期英特磊更與光聖結盟，結合雙方競爭優勢，進而提升雙方營運表現，而在衛星與光通訊領域雙引擎驅動，有望成為高技術含量個股。
（首圖來源：科技新報）
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
