隨著記憶體產業迎接罕見的超級週期，外資小摩（J.P. Morgan，摩根大通）發布最新研究報告表示，台系記憶體大廠華邦電釋出強烈看多訊號，尤其受惠於 DRAM 與 Flash 兩大產品線的強勁獲利能力與成長前景，小摩決定將華邦電的目標價由原先的 83 元，一口氣調升至 140 元，維持「優於大盤」投資評等，並預估其 2026 年 EPS 將翻倍成長，展現出驚人的獲利爆發力。
小摩在報告中大幅上修了對華邦電的財務預測，原因是基於DRAM和Flash前景轉佳，分析師將華邦電2026年與2027年的EPS預估值幾乎「翻倍」上調。其中，2026年的EPS預估值從原先的6.31元，大幅上修97%至12.44元。而2027年EPS預估值則由5.8元，上修106%至12.0元。這一預測數字顯著高於市場共識。根據報告引用數據，彭博（Bloomberg）市場共識對華邦電2026年EPS的預估僅為8.5元，顯示小摩對華邦電在這一波記憶體上升循環中的獲利能力，其抱持極度樂觀的態度。
小摩指出，針對華邦電目標價調升至140元的依據，則是採用了更為積極的評價模型。新的目標價是基於2026年預估每股淨值的4倍來計算。分析師對此解釋，雖然過去十年華邦電的股價淨值比（P/B）峰值約為2倍。但在當前的「記憶體超級週期」下，加上人工智慧（AI）需求對產能的排擠效應，以及華邦電自身的產品規格升級，理應享有更高的評價。
此外，小摩還預估，華邦電2026年的股東權益報酬率（ROE）將達到36%，相較於2021年的18%翻了一倍，強勁的ROE表現足以支撐股價淨值比的重新進行評級調整。而目前的目標價140元，換算約為2026年預估EPS的11倍本益比，仍處於合理區間。
小摩報告中強調，華邦電此次獲利爆發的關鍵，在於其均衡的營收結構使其能同時受惠於DRAM的強大獲利能力與Flash的成長前景。其中在DRAM方面，小摩預估DRAM營收將在2026年成長超過200%。而造成這樣發展的因素在於：
- 強勁的定價能力：小摩的模型預估，2026年第一季華邦電的DRAM價格將季增40-60%，第二季則將持續雙位數季增。
- 產品升級：DDR4 8Gb產品預計於2026年初量產，將進一步推升成長。
- 成熟製程策略：儘管推進新製程，但是DDR3在2026年仍將佔華邦電DRAM出貨量的30-40%。因此，公司可以策略性地將DDR3 4Gb的定價與DDR4 4Gb掛鉤（benchmarking），以最大化獲利。
- 庫存利益：截至2025年第三季末，華邦電持有高達新台幣253億的庫存。其中，超過50%為製成品。公司計劃將這些低成本庫存平均分配在未來各單季出貨，而非急於在前段時間倒貨，這反映了管理層對2026年下半年價格續強的信心。
至於在Flash業務方面，小摩預估該板塊營收在2026年將成長70%以上。隨著記憶體產業整體復甦，預期2026年第一季與第二季Flash價格皆將出現十位數百分比的季增幅，這就將帶動Flash業務的毛利率顯著擴張，預計從2025年第四季的低於30%，大幅躍升至2026年下半年的50%。做為全球最大的NOR Flash供應商，華邦電計劃將產能從2025年底的每月2.5萬片，擴充至2026年中期的3萬片，進一步鞏固市場地位。
值得注意的是，小摩在報告中也提到了同業旺宏的動態。由於旺宏是華邦電在NOR Flash與SLC NAND的主要競爭對手，且擁有MLC NAND產能。分析師推測，旺宏未來若將更多產能分配給價格漲幅與DRAM相當的MLC NAND，將間接有利於華邦電在NOR與SLC NAND市場的供需狀況。
從整體財務數據來看，小摩預估華邦電2026年營收將達到1,699億元，年增率高達90%。更驚人的是毛利率的改善，預估2026年全公司毛利率將達到59%，遠高於2025年預估的35.1%以及2024年的29.4%。這一結構性的轉變來自於記憶體業務佔比的提升。預估到2026年，記憶體業務將佔總營收的82%，而邏輯業務佔比則降至18%。報告預測，2026年華邦電的營業利益率將達到41.6%，較前一年的6.5%出現爆發性成長。
整體來說，小摩此次報告展現了對記憶體產業復甦的高度信心，認為華邦電憑藉其在庫存管理、產品轉型，以及在AI時代邊緣運算需求的戰略地位，正處於獲利爆發的甜蜜點。隨著2026年營收與獲利預估的大幅上修，加上目標價調升至每股140元，華邦電已成為外資眼中這波記憶體超級週期不可忽視的重點標的。
(首圖來源：科技新報攝)
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