SK keyfoundry 推出第四代 200V 高壓 0.18 微米 BCD 製程

韓國 8 吋純晶圓代工廠 SK keyfoundry 近日宣布，其第四代 200V 高壓 0.18 微米 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）製程已正式推出，並將與國內外主要客戶啟動全面的產品開發，目標在年內實現量產。

隨著汽車電氣化與人工智慧資料中心擴張持續加速，市場對高壓、高效率功率半導體的需求正迅速成長。特別是汽車電氣架構正從 12V 系統向 48V 系統過渡，而人工智慧伺服器與資料中心則將工作電壓從 380V 直流電提升至高達 800V 直流電，以實現功率效率與功率密度的最大化。在此背景下，能承受 100V 以上高電壓並具備高效功率控制能力的可靠製程技術，其重要性愈發凸顯。

SK keyfoundry 新推出的第四代 200V 高壓 0.18 微米 BCD 製程，與上一代製程相比，Rsp（比導通電阻）與 BVDSS（擊穿電壓）均提升逾 20%，展現出功率效率提升與高溫穩定性增強的優勢。此外，該製程針對不同工作電壓最佳化低導通電阻元件，最大限度降低晶片面積與功率損耗，進一步提升整體製程競爭力。值得注意的是，該製程提供多層厚金屬間介電層（Thick IMD）選項，可在採用 BCD 與高壓 MOSFET 技術的高壓、大電流電源管理 IC（PMIC）元件之間，安全傳輸數位訊號，同時阻隔不必要的高壓與雜訊。此外，該製程亦支援多種嵌入式記憶體選項，包括 SRAM、ROM、MTP 與 OTP，以及應用於精密馬達控制的霍爾感測器，進一步拓展高壓 IC 的設計彈性。

SK keyfoundry 的新製程可應用於多元產品開發，包括高壓電源管理與轉換 IC、馬達驅動器、發光二極體（LED）驅動器，以及閘極驅動器。最重要的是，該製程符合嚴格的車用可靠度認證標準 AEC-Q100 Grade 0，可直接應用於即使在極端工作條件下仍需高度可靠性的汽車電子元件。

SK keyfoundry 執行長 Derek D. Lee 表示：「隨著 AI 伺服器與汽車電子系統對功率需求持續攀升，市場對 100V 以上 BCD 製程的需求也正迅速成長。考量目前能提供基於體矽高壓 BCD 製程的晶圓代工廠數量有限，我們 200V 高壓 0.18 微米 BCD 製程的量產具有重要里程碑意義。我們將持續依據功率半導體市場與客戶需求的變化，推進製程技術的發展。」

關於 SK keyfoundry

SK keyfoundry 總部位於韓國，提供特用型類比與混合訊號晶圓代工服務，應用涵蓋消費電子、通訊、運算、汽車與工業領域。憑藉多元的技術組合與製程節點，SK keyfoundry 具備因應全球半導體公司不斷變化需求的彈性與能力。

（本文由 PR Newswire 授權轉載；首圖來源：shutterstock）