力積電 COMPUTEX 攜手愛普、晶豪科等,大秀 3D AI Foundry 布局

作者 | 發布日期 2026 年 05 月 26 日 8:40 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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力積電 COMPUTEX 攜手愛普、晶豪科等,大秀 3D AI Foundry 布局

力積電今年 COMPUTEX 展會中以「3D AI Foundry」為主題,展示涵蓋 3D WoW DRAM 堆疊技術,以及 IPD(Si-Cap)、中介層(Interposer)等先進封裝關鍵零組件,搭配集團客戶 IP 及產品設計能力,鎖定 AI 運算對超大記憶體容量、高頻寬存取與高穩定電氣特性的需求。

力積電表示,隨著 AI 模型規模持續擴大,傳統架構面臨的「記憶體牆」(Memory Wall)與能耗挑戰日益嚴峻,而透過 3D AI DRAM 與邏輯晶片整合技術,可有效縮短資料傳輸路徑、提升整體運算效率,並降低系統功耗,為 AI 應用帶來更高效能與更佳能源效率。

這次展區亦集結多家合作夥伴共同展出,包括愛普、晶豪科、Zentel Japan、智成與力晶微元等業者,展示 3D WoW 晶圓堆疊 IP 及產品設計方案。

大摩曾指出,力積電做為愛普 S-SiCap 業務的重要晶圓代工夥伴,看好該代工業務將在今年占力積電總營收比重 3%。愛普 S-SiCap 技術有望透過供應 IPD(整合被動元件)給 Humufish TPU,而切入 EMIB 供應鏈,預期  2027  2028 年開始放量。

根據愛普官網介紹,S-SiCap 產品線涵蓋分離式矽電容(Discrete Devices)與矽電容中介層 IPC(Interposer with silicon Capacitor)兩大類型,對應不同系統架構與應用情境,滿足多元設計需求。

愛普指出,在矽電容中介層 S-SiCap Interposer 採用矽晶圓作為中介層基板,內建高電容密度的矽電容,顯著強化裸晶對裸晶(Die-to-Die)、序列器/解序列器(SerDes)及高頻寬記憶體(HBM)等高速I/O應用的訊號與電源穩定性。愛普並攜手供應鏈合作,導入接合曝光技術(reticle-stitching technology),擴展中介層裸晶面積,進而承載更多Chiplet IC,滿足先進封裝對更高整合度的需求。

愛普科技總經理洪志勳指出,透過 S-SiCap 產品線,愛普將矽電容以分離式及中介層方式整合於各類先進封裝架構,兼具高效能、高整合度與設計彈性,滿足新世代 AI 與 HPC 系統的嚴苛需求。展望未來,愛普也正積極開發能應用在有機中介層(Organic Interposer)的矽電容產品,持續拓展產品版圖。

力積電今年四月合併營收達 50.46 億元,今日上漲 5.47%、來到 71.30 元。

此次展區除了上述廠商外,另有利翔航太、瑞相與智慧記憶等合作夥伴亦同步展示 AI 技術應用於無人機、智慧駕駛與 AI EDA 等應用領域的創新成果,進一步呈現「3D AI Foundry」從晶圓、封裝到終端應用的完整生態系布局。

(首圖來源:科技新報)

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