突破傳統旁側配置，SanDisk 新專利將 NAND 快閃記憶體「墊」在 GPU 底下

SanDisk 正押注一項更激進的儲存架構，試圖在人工智慧熱潮推升記憶體需求、卻也暴露供應瓶頸的背景下，為未來的高效能運算找出新解方。根據最新披露，該公司提出將 NAND 快閃記憶體直接堆疊在運算晶片下方的設計，讓資料存取不再完全依賴傳統的旁側（side-by-side）配置，藉此縮短傳輸距離、降低延遲，並減少成本與功耗。

這項構想建立在 SanDisk 先前提出的 HBF（High-Bandwidth Flash）概念之上。HBF 採用類似 HBM 的分層堆疊方式，把多層 NAND 透過 TSV（Through-Silicon Via）互連整合成單一堆疊，容量可望從目前 HBM 每堆約 32 至 64 GB，進一步擴大到最高約 4 TB。然而，面對 AI 與 HPC 對容量、頻寬與延遲的更高要求，SanDisk 最新申請的專利（US 12,430,274 B2）則更進一步，探索把具備 CBA（CMOS Bonded Array）結構的 NAND 晶粒，直接堆疊在 AI 加速器或 GPU 之下，形成「運算在上、NAND 在下」的 3D 架構。

（Source：SanDisk）

在這套設計中，HBM DRAM 仍會配置在同一中介層（interposer）上，但分工不同：HBM 負責即時、低延遲的高優先順序記憶體工作，而 NAND 則承擔較大容量的讀寫與資料保存工作。SanDisk 希望藉由更寬的晶片間連結，改善 NAND 因距離較遠而速度落後於 DRAM 的弱點，同時回應 AI 運算對記憶體供應的持續擠壓。

（Source：SanDisk）

值得注意的是，這些構想目前仍停留在專利與技術路線階段，距離量產還有一段距離。功耗、製造成本，以及在單一封裝中同時整合 NAND 與 DRAM 的工程難度，都是必須先克服的問題。不過，在 AI 帶動 NAND 與企業級 SSD 需求持續升溫、供應偏緊的情況下，SanDisk 正試圖把儲存晶片從「被動支援」推向更接近運算核心的位置，搶先卡位下世代資料中心架構。