中國 DRAM 大廠長鑫科技（CXMT）完成掛牌，募資規模達 579 億人民幣，上市後市值快速攀升，也讓市場聚焦中國記憶體產業的擴產進程。市場憂心，長鑫取得充裕資金後，將加快新廠建置、製程升級及產能擴充，會改變全球 DRAM 供需結構，惟業者認為，真正影響仍須觀察產能建置、良率提升及終端需求變化，短期內全球缺貨態勢並未因此改變。
業界分析，目前長鑫仍以一般型DRAM產品為主，主要布局DDR4及DDR5市場，由於HBM牽涉先進製程、封裝能力及技術門檻，加上相關設備及技術仍受到國際限制，中國廠商短時間內仍難以追趕國際三大原廠，因此在AI記憶體市場競爭格局短期不會有明顯變化。
不過中國半導體設備自主化進展同樣備受討論，隨中國自製浸潤式DUV曝光設備陸續投入量產，將有助於成熟製程及一般型DRAM產能持續擴增。台灣業者也確實有感於中國設備成熟度有所提升，雖然先進領域尚未領先，但基本設備應用已有進步。法人認為，若未來長鑫產能持續放大，對DDR4及中低階DDR5市場的價格競爭勢必逐步增加，產品線有所重疊的南亞科、華邦電等利基型DRAM業者值得留意。
不過也有業者指出，中國擴產也代表當地市場需求仍具支撐，且中國內需規模龐大，新增產能短期仍以滿足本土市場為主，要形成大量外溢供給仍需時間。此外，新產能從建廠、設備導入到良率提升均需經過長時間驗證，並非募資完成後即可立即轉化為有效供給。業者認為，目前全球原廠仍無法完全滿足市場需求，至少至2027年上半年以前，DRAM供應仍偏吃緊，市場供需缺口難以完全填補；另，Flash擴產速度雖相對較快，但新增供給對市場的實質影響，預料也將落在2027年下半年之後，仍須持續觀察各家新產能的量產進度與良率表現。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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