
全球首見!3-bit NAND flash 由平面走向 3D、三星量產
韓聯社報導,三星 8 月首次發表這款記憶晶片,每個記憶單元 ( cell ) 皆可儲存 3 bit 數據,之前 3-bit 技術僅用於平面 ( Planar ) NAND flash,如今拓展用途 …
本篇文章將帶你了解 :TechNews 科技早報 – 20141010
TechNews 科技早報 – 20141010 |
作者
technewsdaily |
發布日期
2014 年 10 月 10 日 10:01 |
分類
手機
, 會員專區
, 零組件
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全球首見!3-bit NAND flash 由平面走向 3D、三星量產
韓聯社報導,三星 8 月首次發表這款記憶晶片,每個記憶單元 ( cell ) 皆可儲存 3 bit 數據,之前 3-bit 技術僅用於平面 ( Planar ) NAND flash,如今拓展用途 …
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