Tag Archives: 長鑫存儲

長鑫存儲傳明年上海掛牌，估值上看 3,000 億人民幣
作者 |發布日期 2025 年 10 月 22 日 9:00 |
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分類 AI 人工智慧 , 中國觀察 , 半導體

據《路透社》報導，中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）正籌備於 2026 年第一季在上海證券交易所掛牌上市，整體估值可望達 3,000 億人民幣（約新台幣 1.293 兆元）。兩位知情人士透露，公司計劃募資 200 億至 400 億人民幣，並可能於 11 月對外公開招股說明書（prospectus）。 繼續閱讀..

三星爆發 DRAM 技術洩密案，三名前員工協助中國長鑫存儲成功開發
作者 |發布日期 2025 年 10 月 08 日 16:50 |
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分類 Samsung , 中國觀察 , 半導體

韓國科技產業近日爆發重大技術洩漏事件，數名前三星電子（Samsung Electronics）高層及研究人員被控非法竊取，並轉移國家核心技術至中國半導體公司，成功協助該公司開發出中國首個 18 奈米 DRAM 記憶體，嚴重危害韓國國家經濟安全。

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中國 HBM 市場需求激增，長江存儲規劃進入 DRAM 生產行列
作者 |發布日期 2025 年 09 月 25 日 21:30 |
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分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

根據路透社引用三位知情人士的說法報導指出，中國 NAND Flash 製造商長江存儲（YMTC）正計劃將業務擴展至製造動 DRAM 晶片，其中涵蓋了用於製造 AI 專用記憶體 HBM 的產品。長江存儲的計畫凸顯了在美國擴大出口管制後，中國迫切希望提升其先進晶片製造能力的意圖。

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要繞過 AI 晶片依賴 HBM，華為研發新 AI 記憶體解決方案
作者 |發布日期 2025 年 08 月 29 日 8:50 |
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分類 AI 人工智慧 , 中國觀察 , 半導體

根據外媒的最新報導，中國科技大廠華為正積極投入 AI 記憶體的研發，該計畫為的是對抗西方技術限制、降低對高頻寬記憶體（HBM）依賴的關鍵一步。這款新型記憶體專為 AI 工作執行而設計，目標是有效取代目前中國 AI 硬體發展面臨瓶頸的高頻寬記憶體解決方案。

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長鑫存儲積極擴大 HBM 產線，滿足中國無法取得國外產品需求
作者 |發布日期 2025 年 08 月 14 日 10:10 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

外媒報導，受美國制裁影響，中國難取得 AI 用高頻寬記憶體 (HBM)，使 AI 發展也受阻。一度停滯的長鑫存儲科技 (CXMT) 大規模設備投資也因此已經重啟。重啟原因，是長鑫存儲計劃引進大量新設備擴大產能，量產最新 DRAM DDR5，並在此基礎上開發 HBM3 高頻寬記憶體產品。

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DDR5 成本與品質難在市場競爭，長鑫存儲改設計使量產時間延後至年底
作者 |發布日期 2025 年 07 月 24 日 15:50 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

Tom′s Hardware 報導，中國記憶體廠商長鑫存儲（CXMT）為了提高品質，不得不將其 DDR5 記憶體的量產延後至 2025 年末。不過，有消息指出，該公司 DDR5 晶片的品質目前似乎已與台廠南亞科相當，在良率與品質的提升，加上長鑫存儲不斷擴大的產能的情況下，不僅讓規模較小的台系廠商，甚至全球廠商都受到威脅。

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受中國政府政策主導，長鑫存儲將減少 DDR4 產能轉發展 HBM
作者 |發布日期 2025 年 05 月 28 日 14:15 |
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分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

2024 年末，中國的部分記憶體廠商推出了新款 DDR5-6000 32GB 套裝，其中一個重要的賣點就是用上了來自長鑫存儲（CXMT）的中國國產 DDR5 顆粒。傳聞長鑫存儲良率已達到約 80%，與最初量產時的 50% 相比有了大幅度的提升。另一方面，長鑫存儲最近開始減少 DDR4 產量，並改變激進的定價手段，準備提高 DDR4 的價格。

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