科林研發（ Lam Research）宣布其創新的乾式光阻（dry resist）技術可直接印刷 28 奈米間距之後段（BEOL）邏輯製程，適用於 2 奈米以下先進製程，現已獲得在奈米電子與數位技術領域中，極具領導地位的研究與創新中心 imec 所認證。 繼續閱讀..
科林研發宣布新乾式光阻技術，可建立 28 奈米間距的高解析度圖案化 |
作者
林 妤柔|發布日期
2025 年 01 月 17 日 10:02 |
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