應用材料宣布開發「冷場發射（cold field emission，CFE）」技術且已達成商品化。此一突破性電子束 （eBeam） 成像技術可協助晶片製造商更好地檢測與成像出奈米級埋藏的缺陷，以加快次世代閘極全環（Gate-All-Around，GAA） 邏輯晶片，以及更高密度 DRAM 和 3D NAND 記憶體的開發和製造。
奈米級影像解析度提升 50%，應材「冷場發射」技術加速先進晶片開發 |
作者
侯 冠州|發布日期
2022 年 12 月 20 日 8:47 |
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