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英飛凌斥資逾 20 億歐元,馬來西亞擴產強化 SiC、GaN 製造能力

作者 |發布日期 2022 年 02 月 22 日 10:24 | 分類 公司治理 , 國際觀察 , 晶圓

為進一步鞏固功率半導體市場競爭優勢,英飛凌(Infineon)宣布將大幅提升寬能隙(碳化矽和氮化鎵)半導體的產能,欲斥資逾 20 億歐元,在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之後,新廠區將用於生產碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體產品,每年可為英飛凌創造 20 億歐元收入。

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