2017 年中國將推自主生產 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體 |
作者
Atkinson|發布日期
2016 年 10 月 20 日 12:40 |
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隨著當前智慧型手機、SSD 等產品的市場需求強烈，包括快閃記憶體、記憶體等儲存晶片需求大量成長，近期價格也擺脫低潮，持續上漲，這樣的機會點這也給了中國相關企業介入儲存晶片市場的發展契機。根據外電的報導，在這波儲存晶片的熱潮下，中國本身也將在 2017 年推出 32 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體。雖然，這樣的技術相較南韓三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差，但總是為中國快閃記憶體市場跨出第一步。
三星西安廠 3D NAND 晶片量產一度停擺，不致影響市場價格 |
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作者
Sanada Yukimura|發布日期
2015 年 01 月 27 日 17:19 |
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日前韓國媒體 Digital daily 報導了三星電子（Samsung Electronics）在中國西安負責產製 3D NAND Flash 廠區，傳出產線一度全面中斷的消息，韓國媒體表示有多達 3 萬片晶圓悉數報廢，預估損失金額為 6,000 萬美元。不過，根據科技新報（TechNews）從韓國方面獲得的了解，三星 NAND 廠這件事情大約是發生在 2014 年 12 月份，並不是報紙刊登報導的 2015 年 1 月份，而且只有大約一千片晶圓損毀報廢，並沒有媒體傳言的三萬片那樣多。 繼續閱讀..
