工研院今日宣布，一方面與晶圓製造龍頭台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory，SOT-MRAM）陣列晶片，另一方面攜手陽明交大研發出工作溫度橫跨近 400 度的新興磁性記憶體技術。
工研院與台積電開發 SOT-MRAM！攜手陽明交大發表頂尖「磁性記憶體」 |
作者
姚 惠茹|發布日期
2022 年 06 月 15 日 11:30 |
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