為積極應對人工智慧(AI)時代日益嚴峻的電力危機,韓國三星旗下的先進技術研究院(SAIT)近日宣布了一項突破性的基礎技術,也就是研究人員在全球率先發現了一種核心機制,能夠將現有 NAND Flash 的功耗降低高達 96%,有望為解決能源消耗問題做出重大貢獻。而這項重要的研究成果已由 SAIT 與半導體研究所的 34 位研究人員共同撰寫,題為「用於低功耗 NAND Flash 的鐵電晶體管」論文,並成功發表於《自然》國際學術期刊上。
三星研究以電鐵材料降低 NAND Flash 耗電量,最多可降低達 96% |
| 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 11 月 28 日 15:50 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 |



