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三星研究以電鐵材料降低 NAND Flash 耗電量,最多可降低達 96%

作者 |發布日期 2025 年 11 月 28 日 15:50 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

為積極應對人工智慧(AI)時代日益嚴峻的電力危機,韓國三星旗下的先進技術研究院(SAIT)近日宣布了一項突破性的基礎技術,也就是研究人員在全球率先發現了一種核心機制,能夠將現有 NAND Flash 的功耗降低高達 96%,有望為解決能源消耗問題做出重大貢獻。而這項重要的研究成果已由 SAIT 與半導體研究所的 34 位研究人員共同撰寫,題為「用於低功耗 NAND Flash 的鐵電晶體管」論文,並成功發表於《自然》國際學術期刊上。

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SK 海力士成立中國專利工作小組,防範業者訴訟爭議

作者 |發布日期 2017 年 03 月 23 日 17:40 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區

中國記憶體市場發展正方興未艾,2016 年由紫光集團所主導的長江存儲,在武漢投資 240 億美元建設國家記憶體基地引起全球關注。南韓業界對此評估稱,南韓與中國廠商間的技術差距僅剩 3 到 5 年的時間。因此有消息指出,為避免再度上演類似過去與 Rambus、東芝等半導體同業間的專利大戰,SK 海力士近期特別於專利分析團隊中新成立中國工作小組,以研究學習中國商業法、專利法等相關法律。

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