南韓 DRAM、NAND 領先中國 5、2 年,長鑫儲存良率低 作者 MoneyDJ|發布日期 2022 年 05 月 31 日 15:10 | 分類 記憶體 , 零組件 | edit 根據研究,南韓在 DRAM、NAND 型快閃記憶體方面的科技,分別約領先中國 5 年及 2 年。 繼續閱讀..
長江存儲今年拚超車三星美光?傳年中試產 192 層 NAND 作者 MoneyDJ|發布日期 2021 年 01 月 12 日 14:45 | 分類 晶圓 , 晶片 , 零組件 | edit 中國記憶體製造大廠長江存儲(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.),傳出今年產出將倍增,並計畫投產先進晶片,槓上三星電子(Samsung Electronics Co.)等領導業者。 繼續閱讀..