南韓 DRAM、NAND 領先中國 5、2 年，長鑫儲存良率低

根據研究，南韓在 DRAM、NAND 型快閃記憶體方面的科技，分別約領先中國 5 年及 2 年。

Business Korea 31日報導，韓國輸出入銀行（Export-Import Bank of Korea）旗下海外經濟研究所（Overseas Economic Research Institute，OERI）30日發表研究報告指出，長鑫儲存（CXMT）今（2022）年計劃量產第二代10奈米（1y或16~17奈米）DRAM。相較之下，三星電子（Samsung Electronics）及SK海力士（SK Hynix）計劃今年底或明年量產第五代10奈米（1b或12~13奈米）DRAM。

OERI指出，考慮到每世代的技術差距約2~2.5年，兩國技術差距大概超過5年。

尤其三星、SK海力士已導入（或計劃導入）極紫外光（EUV）微影設備進行超精細製程，中國企業卻因美國制裁受限。許多專家認為，中國要縮短與南韓的差距並不容易。

不只如此，中國晶片製造商良率也偏低。據OERI分析，長鑫儲存第一代10奈米（1x或18~19奈米）DRAM雖2019年量產，2年後良率仍只有75%；第二代DRAM良率也只有40%。

OERI資深研究員Lee Mi-hye指出，由於嚴重技術差距，加上西方制裁，長鑫儲存DRAM市占（2021年底不到1%）恐怕難大幅翻轉。

NAND型快閃記憶體方面，中國技術約落後南韓2年。報告稱，長江存儲（YMTC）2021年8月開始量產第六代（128層）3D NAND型快閃記憶體，而三星、SK海力士早在2019年就量產。南韓業者計劃今年底至明年初量產超過200層NAND，但長江存儲預料得等到2024年。

Lee指出，中國業者恐怕難以由虧轉盈，但中國政府持續支援下，長期仍可能威脅到南韓企業。倘若美國決定加碼制裁中國製晶片，那南韓、中國技術差距有望維持。專家相信南韓晶圓代工技術約領先中國5年。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：shutterstock）