長江存儲今年拚超車三星美光?傳年中試產 192 層 NAND

作者 | 發布日期 2021 年 01 月 12 日 14:45 | 分類 晶圓 , 晶片 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


中國記憶體製造大廠長江存儲(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.),傳出今年產出將倍增,並計畫投產先進晶片,槓上三星電子(Samsung Electronics Co.)等領導業者。

日經亞洲評論 12 日引述未具名消息人士報導,長江存儲計畫在 2021 下半年,將記憶體晶片的月產量倍增至 10 萬片矽晶圓,約占全球產出 7%。相較之下,全球最大 NAND 型快閃記憶體製造商三星的月產出為 48 萬片矽晶圓,美國最大記憶體廠商美光(Micron Technology, Inc.)則月產 18 萬片矽晶圓。

除了擴產現有晶片,長江存儲也打算加快科技發展進程,消息透露,長江存儲最快 2021 年中就會試產第一批 192 層 3D NAND 快閃記憶體,目前生產的是 64 層與 128 層晶片。

雖然計畫可能拖延至 2021 下半年,也需要時間確保量產品質,但這項時間表對於中國本土晶片業者而言仍是一大進步。三星、美光仍在努力開發 176 層 3D NAND,能量產的最先進版則是 128 層晶片。

長江存儲計畫中的 192 層晶片,定義上確實比三星、美光先進,但市場觀察人士依舊抱持謹慎態度,認為應看看長江存儲產品的效能、品質能否超越領導業者。長江存儲是在 2020 年 4 月宣布開發完成,並於同年底量產 128 層 NAND。消息顯示,目前良率約 70%,依舊有改善空間。長江儲存的客戶包括聯想集團及華為。

科技市調機構 IC Insights 6 日發表研究報告指出,即使長江存儲(YMTC)、長鑫儲存(CXMT)努力打造新 IC 生產線,到了 2025 年,中國還是會有高於 50% 的 IC 是由外國廠商(如 SK Hynix、三星、台積電、聯電)晶圓代工廠生產。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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