中國記憶體製造大廠長江存儲（Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.），傳出今年產出將倍增，並計畫投產先進晶片，槓上三星電子（Samsung Electronics Co.）等領導業者。
日經亞洲評論 12 日引述未具名消息人士報導，長江存儲計畫在 2021 下半年，將記憶體晶片的月產量倍增至 10 萬片矽晶圓，約占全球產出 7%。相較之下，全球最大 NAND 型快閃記憶體製造商三星的月產出為 48 萬片矽晶圓，美國最大記憶體廠商美光（Micron Technology, Inc.）則月產 18 萬片矽晶圓。
除了擴產現有晶片，長江存儲也打算加快科技發展進程，消息透露，長江存儲最快 2021 年中就會試產第一批 192 層 3D NAND 快閃記憶體，目前生產的是 64 層與 128 層晶片。
雖然計畫可能拖延至 2021 下半年，也需要時間確保量產品質，但這項時間表對於中國本土晶片業者而言仍是一大進步。三星、美光仍在努力開發 176 層 3D NAND，能量產的最先進版則是 128 層晶片。
長江存儲計畫中的 192 層晶片，定義上確實比三星、美光先進，但市場觀察人士依舊抱持謹慎態度，認為應看看長江存儲產品的效能、品質能否超越領導業者。長江存儲是在 2020 年 4 月宣布開發完成，並於同年底量產 128 層 NAND。消息顯示，目前良率約 70%，依舊有改善空間。長江儲存的客戶包括聯想集團及華為。
科技市調機構 IC Insights 6 日發表研究報告指出，即使長江存儲（YMTC）、長鑫儲存（CXMT）努力打造新 IC 生產線，到了 2025 年，中國還是會有高於 50% 的 IC 是由外國廠商（如 SK Hynix、三星、台積電、聯電）晶圓代工廠生產。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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