SK 海力士下代 HBM 將採 2.5D 扇出封裝,最快明年公布研究成果 作者 林 妤柔|發布日期 2023 年 11 月 27 日 10:25 | 分類 封裝測試 , 晶片 , 記憶體 | edit SK 海力士準備首次將「2.5D 扇出」(Fan out)封裝做為下一代記憶體技術。根據業內消息,SK 海力士準備在 HBM 後下一代 DRAM 中整合 2.5D 扇出封裝技術。 繼續閱讀..