SK 海力士下代 HBM 將採 2.5D 扇出封裝，最快明年公布研究成果

SK 海力士準備首次將「2.5D 扇出」（Fan out）封裝做為下一代記憶體技術。根據業內消息，SK 海力士準備在 HBM 後下一代 DRAM 中整合 2.5D 扇出封裝技術。

韓媒 BusinessKorea 報導稱，這種技術將兩個 DRAM 晶片橫向排列，再像晶片一樣組合，因為晶片下面沒添加基板，能使晶片更薄，安裝在 IT 設備時的晶片厚度能大幅減少。SK 海力士最快明年公開採用這種封裝方式的研究成果。

2.5D 扇出封裝技術以前從未用於記憶體產業，過去主要是用於先進的系統半導體製造領域。台積電 2016 年首次將扇出晶圓級封裝（FOWLP）商業化，將其 16 奈米應用處理器與行動 DRAM 整合到 iPhone 7 的一個封裝中，從而使這項技術推向舞台。三星電子從今年第四季開始將這一技術導入 Galaxy 智慧手機高級 AP 封裝中。

外界猜測，SK 海力士之所以在記憶體使用扇出封裝，是為了降低封裝成本。2.5D 扇出封裝技術可跳過矽通孔（TSV）製程，從而提供更多 I/O 數量並降低成本。業內人士推測，這種封裝技術將應用於 Graphic DRAM（GDDR）和其他需要擴展資訊 I/O 產品。

除了利用這項技術外，SK 海力士也努力鞏固與輝達的合作，後者在 HBM 市場處於領先地位；SK 海力士也成為蘋果 Vision Pro 中 R1 這種特殊 DRAM 晶片的獨家供應商。