2 月 18~22 日舊金山 IEEE 國際固態電路會議（ISSCC），韓國三星預計展示 GDDR7 記憶體，以及 280 層堆疊的 3D QLC NAND 快閃記憶體技術。280 層堆疊 3D QLC NAND 一旦推出，將成為迄今儲存資料密度最高的新型 3D QLC NAND。
迄今最強！三星將推出 280 層堆疊 3D QLC NAND 快閃記憶體 |
作者
Atkinson|發布日期
2024 年 01 月 30 日 16:40 |
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