迄今最強！三星將推出 280 層堆疊 3D QLC NAND 快閃記憶體
作者 | 發布日期 2024 年 01 月 30 日 16:40 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
Loading...
迄今最強！三星將推出 280 層堆疊 3D QLC NAND 快閃記憶體

2 月 18~22 日舊金山 IEEE 國際固態電路會議（ISSCC），韓國三星預計展示 GDDR7 記憶體，以及 280 層堆疊的 3D QLC NAND 快閃記憶體技術。280 層堆疊 3D QLC NAND 一旦推出，將成為迄今儲存資料密度最高的新型 3D QLC NAND。

想請我們喝幾杯咖啡？

icon-tag

每杯咖啡 65 元

icon-coffee x 1
icon-coffee x 3
icon-coffee x 5
icon-coffee x

您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力

總金額共新臺幣 0 元
《關於請喝咖啡的 Q & A》
取消 確認

從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews

Google News
關鍵字: ,