迄今最強！三星將推出 280 層堆疊 3D QLC NAND 快閃記憶體

2 月 18~22 日舊金山 IEEE 國際固態電路會議（ISSCC），韓國三星預計展示 GDDR7 記憶體，以及 280 層堆疊的 3D QLC NAND 快閃記憶體技術。280 層堆疊 3D QLC NAND 一旦推出，將成為迄今儲存資料密度最高的新型 3D QLC NAND。

從三星主題「A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm² Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate」觀察，280 層堆疊 1Tb QLC 3D QLC NAND 具以下特性。

首先，280 層堆疊指的是該建議體將由 280 層的儲存單元垂直堆疊而成，進一步提高了儲存密度。其次，1Tb 的容量則是指該快閃記憶體的儲存容量密度為 1024 G bit。第三，4b / cell 是指每個儲存單元可以儲存 4 個二進位，即每數據占用 0.25 個儲存單元，進一步提高儲存密度。

第三，3D-NAND 是指該快閃記憶體採用 3D 堆疊，透過垂直堆疊儲存單元增加儲存密度。第四是 28.5Gb / mm² 面積密度。是指每平方公厘儲存單元可儲存 28.5Gb 資料，代表儲存密度極高。最後是 3.2GB/s High-Speed 10 Rate，是指讀取資料最高速度為 3.2GB/s，High-Speed 10 Rate 可能指某種特定介面或傳輸協議。

據三星 PPT，QLC NAND V9 提供最高 8TB 的 M.2 硬碟，IO 速度超過單個晶片 2.4Gbps，原始性能可與當今 TLC 快閃記憶體直接競爭。但具體上市產品表現如何，仍需後續觀察。

(首圖來源：三星)