三星電子宣布，開發出業界首見的 12 層 3D 矽穿孔技術（Through-Silicon Via，簡稱 TSV）。DRAM 晶片的堆疊層數能從 8 層增至 12 層，不久後將量產 24GB 的高頻寬記憶體（HBM）。
DRAM 新發展！三星開發 12 層 3D 封裝，將推 24GB HBM |
作者
MoneyDJ|發布日期
2019 年 10 月 09 日 16:45 |
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