DRAM 新發展！三星開發 12 層 3D 封裝，將推 24GB HBM

三星電子宣布，開發出業界首見的 12 層 3D 矽穿孔技術（Through-Silicon Via，簡稱 TSV）。DRAM 晶片的堆疊層數能從 8 層增至 12 層，不久後將量產 24GB 的高頻寬記憶體（HBM）。

三星新聞稿指出，12 層 3D-TSV 技術，被視為量產高效能晶片最具挑戰的封裝技術之一，需要極度精準，才能讓 12 層 DRAM 晶片，透過 6 萬個 TSV 穿孔的 3D 結構，垂直互連，厚度只有人類頭髮的二十分之一。

（Source：三星）

採用這個封裝技術的產品，厚度為 720 微米，與當前 8 層的二代高頻寬記憶體相同。這是零組件設計的重大進展，客戶可以推出新一代的大容量、高效能產品，卻毋須更動系統結構設計。不只如此，和現行的打線接合（wire bonding）技術相比，3D 封裝能縮短晶片間的數據傳輸時間，可提高速度、減少耗電。

三星電子的測試與系統封裝執行副總 Hong-Joo Baek 說，摩爾定律瀕臨界線，預料 3D-TSV 技術將益發重要，希望成為此先進封裝技術的要角。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）