三星組團隊研發 4F² DRAM 儲存單元結構,面積最高減少 30% 作者 Atkinson|發布日期 2023 年 05 月 26 日 15:15 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片 | edit 韓媒 The Elec 報導,記憶體大廠三星組建一支專業團隊,負責開發 4F² DRAM 儲存單元結構。相較現有 6F² DRAM 儲存單元結構,不改變製程下,4F² DRAM 儲存單元結構晶片面積最高可減少達 30%。 繼續閱讀..