韓媒 The Elec 報導,記憶體大廠三星組建一支專業團隊,負責開發 4F² DRAM 儲存單元結構。相較現有 6F² DRAM 儲存單元結構,不改變製程下,4F² DRAM 儲存單元結構晶片面積最高可減少達 30%。
原本 4F Square 是種單元結構技術,DRAM 產業早在 10 年前就嘗試商業化,但以失敗告終。
三星再組織團隊,研發 4F² DRAM 儲存單元結構晶片,新結構電晶體根據電流流入和流出方向,形成源極(S)、柵極(G)和漏極(D)等整套系統。
結構就是在漏極(D)上方安裝儲存電荷的電容器,電晶體和水平排列的 WL 線和垂直排列的 BL 線接觸。WL 連到柵極(G),負責電晶體開與關;BL 連到源極(S),負責讀取和寫入數據。
(首圖來源:Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0)