三星組團隊研發 4F² DRAM 儲存單元結構，面積最高減少 30% 作者 Atkinson | 發布日期 2023 年 05 月 26 日 15:15 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片 | edit Loading... Now Translating... 韓媒 The Elec 報導，記憶體大廠三星組建一支專業團隊，負責開發 4F² DRAM 儲存單元結構。相較現有 6F² DRAM 儲存單元結構，不改變製程下，4F² DRAM 儲存單元結構晶片面積最高可減少達 30%。 文章看完覺得有幫助，何不給我們一個鼓勵 請我們喝杯咖啡 想請我們喝幾杯咖啡？ 每杯咖啡 65 元 x 1 x 3 x 5 x 您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力 總金額共新臺幣 0 元 《關於請喝咖啡的 Q & A》 留給我們的話 取消 確認 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知，時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: 4F² DRAM , dram , 三星
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