先進製程奈米節點持續微縮下，光刻機是重要關鍵設備。12 吋晶圓主要光刻機為 ArF immersion 機台，可涵蓋 45nm 一路往下到 7nm 節點的使用範圍，雷射光波長最小微縮到 193nm；針對 7nm 節點以下製程，EUV（Extreme Ultra-Violet）極紫外光使用光源波長為 13.5nm，確保先進製程持續發展的可能性。 繼續閱讀..
半導體先進製程發展擴大 EUV 市場需求，ASML 可望持續受惠 |
作者
拓墣產研|發布日期
2019 年 06 月 10 日 9:00 |
|
