半導體先進製程發展擴大 EUV 市場需求,ASML 可望持續受惠

作者 | 發布日期 2019 年 06 月 10 日 9:00 | 分類 光電科技 , 國際貿易 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


先進製程奈米節點持續微縮下,光刻機是重要關鍵設備。12 吋晶圓主要光刻機為 ArF immersion 機台,可涵蓋 45nm 一路往下到 7nm 節點的使用範圍,雷射光波長最小微縮到 193nm;針對 7nm 節點以下製程,EUV(Extreme Ultra-Violet)極紫外光使用光源波長為 13.5nm,確保先進製程持續發展的可能性。

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