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中國市場DRAM與NAND胃納量驚人,2014年將消耗102 億美金DRAM以及63億美金Flash

作者 |發布日期 2014 年 11 月 13 日 15:00 | 分類 晶片 , 財經

隨著中國市場近幾年的蓬勃發展與政策開放,GDP 成長率呈現高度的成長,所伴隨而來的就是驚人的消費潛力,無論是 PC、 智慧型手機與平板市場都把中國市場列入第一戰區。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新研究顯示,以 2Gb 顆粒來換算,2014 年中國市場在 DRAM 與  NAND 的消化量已經高達 47.89 億與 35.18 億(2Gb equiv), 分別占全球產能 19.2% 與 20.6%。  繼續閱讀..

研調:全球 DRAM 第三季產值 120 億美元,季成長達 11%

作者 |發布日期 2014 年 11 月 13 日 9:31 | 分類 晶片

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新研究報告顯示,第三季三大 DRAM 廠積極調配旗下產能以應付蘋果 iPhone 新機龐大行動式記憶體的需求,在排擠效應下,標準型記憶體產出減少,帶動第三季合約價格持續上漲,供貨吃緊下標準型記憶體蟬聯毛利最高的 DRAM 產品。 DRAMeXchange 表示,2014 年第三季 DRAM 產值達 120 億美元,較上季成長 11%,單季營收再度創下新高。  繼續閱讀..

交大找到超低功耗節能電子元件,未來行動裝置可十天充一次電

作者 |發布日期 2014 年 10 月 24 日 15:41 | 分類 晶片 , 精選

電子元件尺寸將在六年內微縮至量子力學的極限,改善元件功率消耗達到節能效果,成為未來發展趨勢。交通大學電子工程系荊鳳德教授團隊找出超低功耗快速上升電晶體及單電晶體動態隨機存取記憶體,將減低未來的積體電路功率達 10 倍之多,實現行動裝置 10 天充一次電的期望。研究成果刊登在 IEEE Newsletter 通訊封面故事,更受邀發表技術簡介「節能電子元件的趨勢」於 2014 年的 IEEE 通訊。 繼續閱讀..