Tag Archives: HBM5

三星 COMPUTEX 大秀新品！首公開 HBM5 關鍵 HPB 架構、HBM4E 晶圓

作者林妤柔|發布日期 2026 年 06 月 02 日 20:41 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 記憶體

三星半導體今（2 日）表示，於 COMPUTEX 上展示橫跨記憶體、晶圓代工、邏輯晶片與先進封裝的全球唯一IDM（整合元件製造商）模式的「全方位解決方案（Total Solution）」競爭力，以及迎接新一代AI系統的發展策略。繼續閱讀..

HBM 堆疊逼近極限，Hybrid Bonding 將成記憶體下一步關鍵技術

作者蘇子芸|發布日期 2026 年 04 月 03 日 17:10 |

分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

根據研調機構 counterpoint 報告，目前主流 HBM 仍採用微凸塊（micro-bump）搭配熱壓鍵合（TCB）進行晶片連接，並已支援 12 至 16 層堆疊。然而，隨著未來 HBM 朝 20 層以上發展，微凸塊在訊號完整性、功耗與散熱表現上的限制逐漸浮現，使產業開始尋求新的解決方案。繼續閱讀..

HBM4 之後誰撐起下世代？TC bonder 成 AI 記憶體技術核心

作者蘇子芸|發布日期 2026 年 02 月 12 日 14:37 |

分類半導體 , 記憶體

綜合外電報導，隨著 AI 算力需求持續攀升，高頻寬記憶體（HBM）技術正加速世代演進。在 HBM4 即將進入量產之際，產業已同步推進下一代 HBM5 與 HBM6 開發，帶動先進封裝設備需求升溫，其中熱壓鍵合設備（TC bonder）。繼續閱讀..

HBM5 競爭關鍵在「浸沒式冷卻」！KAIST 曝未來四代 HBM 技術藍圖

作者林妤柔|發布日期 2025 年 06 月 12 日 11:07 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

根據韓國科學技術院（KAIST）教授表示，當 HBM5 正式商用化時，冷卻技術將成為 2029 年高頻寬記憶體（HBM）市場競爭的關鍵因素。繼續閱讀..