美國光學檢測大廠科磊來台暢談產品策略與藍圖

作者 | 發布日期 2013 年 08 月 22 日 17:26 | 分類 尖端科技 , 晶片
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光學檢測大廠科磊(KLA-Tencor)在8月21日的颱風天召開記者會前,所有媒體最為關心的就是台系電子束(E-beam)檢測設備大廠漢微科,是否會威脅科磊在晶圓代工與記憶體檢測設備市場的地位,科磊是否也有計畫搶回電子束檢測設備的市占率?而一向低調鮮少與媒體見面的科磊,此次有備而來,強調電子束的檢測速度太慢,光學檢測仍居於主流地位,同時亦宣布 2014 年將把設備訓練中心設在台灣,要拉攏台灣市場客戶的心。



光學檢測與電子束檢測的差異

在光學檢測設備上,科磊、漢微科分居前兩名地位。日前漢微科在電子束檢測市占率快速成長,解析度也來到3奈米,引發市場關注,科磊行銷長 Brian Trafas 這次在台灣舉辦的記者會上,鄭重澄清光學檢測並不會被電子束檢測取代的市場耳語。

科技新報訪談Trafas,他認為,以半導體領域而言,要在 12 吋晶圓上檢測 10 奈米的缺陷,最好的類比就是,接近於在台灣全島找出 1 元大的硬幣這件事情,假設我們用光學檢測設備(假設是非常大),整個時間可能需要 1 小時,但如果電子束來檢測,做這件事情卻可能得花費甚至 1 年的時間。當然這只是個比喻,他主要的目的是說明電子束檢測的速度相對慢很多。

他也提出,如果要讓電子束檢測設備趕上光學檢測設備,這得同時用約一千個槍頭(multiple-beam)來進行檢測。可惜,當前技術領域中,這還是有很大的挑戰,尚未突破多槍頭同時檢測的瓶頸。

現階段,電子束檢測設備的解析度是比較好的,可是當半導體領域客戶要量產產品時,如果考量時間成本,佔整體成本之一的檢測速度會顯得重要。

Brian Trafas看好電子束檢測設備可以先應用在研發階段,過程中,先採用光學檢測設備找出晶圓缺陷,接著透過電子束檢測設備的高解析度做更精密的分析,有助於提高研發階段的成果。

Brian Trafas同時說明科磊產品藍圖,並介紹新產品,該公司也切入電子束檢測設備市場,新推出的是eDR-7100 電子束技術,這種產品的賣點,是可精準識別極微小的缺陷。另外,這種半導體檢測設備,使用第四代電子束浸沒式光學元件,設法提升解析度,並透過影像模式的選取,去針對不同缺陷類型來產生成像,做好檢測的工作。

該公司也指出,預計在 2014 年 4 月在台灣設立設備訓練中心,看好台灣的半導體市場發展。 

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