全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體（NAND Flash）廠商東芝（Toshiba）23 日發布新聞稿宣布，已研發出全球首見的 15nm 製程 2-bit-per-cell 128-gigabit（16 gigabytes）NAND Flash 產品，且旗下 NAND Flash 生產據點「四日市工廠」第 5 廠房「Fab 5」會將現行生產的 19nm 第 2 世代 NAND Flash 產品更換為上述 15nm 產品、並將自本月底（4月底）開始進行量產。
東芝並指出，目前興建中的「Fab 5」擴建工程 (第 2 期工程) 完工後，也將在今年秋天量產上述 15nm 產品。
東芝指出，上述 15nm NAND Flash 產品的寫入速度同於 19nm 第 2 世代產品，惟數據傳輸速度達 533Mb/s、達 19nm 第 2 世代產品的 1.3 倍，且其晶片面積較 19nm 第 2 世代產品縮小約 30%、達全球最小水準。
東芝並指出，計劃於 2014 年 4-6 月期間量產採用 15nm 製程的 3-bit-per-cell NAND Flash 產品，且並將搭配研發中的高性能 NAND controller，搶攻智慧手機、平板電腦市場。
（精實新聞 蔡承啟 報導）
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