超越三星,東芝傳年內量產 3D NAND Flash

作者 | 發布日期 2015 年 03 月 25 日 10:10 | 分類 平板電腦 , 手機 , 零組件
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三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業,於去年 10 月搶先量產 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)產品,但三星的領先優勢恐維持不了多久,因為三星 NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產 3D NAND Flash,且其製造技術更勝三星一籌!




日本媒體產經新聞 25 日報導,三星於去年量產的 3D NAND Flash 產品為垂直堆疊 32 層,但東芝已研發出超越三星的製造技術,可堆疊 48 層,且東芝計劃於今年下半年透過旗下四日市工廠開始量產上述 48 層架構的 3D NAND Flash 產品。NAND flash 多用於智慧手機、平板等行動裝置,電源關閉後,儲存內容也不會消失。

報導指出,東芝所將量產的 3D NAND Flash 產品記憶容量較現行產品呈現大幅度提高,且也將超越三星的產品。據報導,三星於去年量產的 3D NAND Flash 產品傳出不良率偏高且獲利不佳,而東芝雖面臨同樣的問題,但因已確立了生產技術,故決定進行樣品出貨。

據報導,東芝和三星皆計劃於數年內研發出容量達 1Tb(Tera bit;1Tb=1,000Gb)的 3D NAND Flash 產品,而一旦實現,就可在智慧手機儲存高達數十小時的 4K 影片。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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