SK 海力士續砸錢,料衝 NAND flash 產能

作者 | 發布日期 2016 年 01 月 15 日 10:40 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly

DRAM 錢難賺,南韓記憶體大廠 SK 海力士砸錢拚 NAND flash,兩年內產能增加了將近兩倍。今年該公司再次大舉投資,可能會繼續擴大 NAND flash 規模。



韓聯社、BusinessKorea 報導,SK 海力士 14 日宣布,今年資本開支為 6 兆韓圜(49 億美元),與去年相近,要藉此擊退對手,並回應政府對企業擴大投資的呼聲。

SK 海力士砸錢有成,Gartner 數據顯示,2015 年第四季 SK 海力士 NAND flash 出貨量為 2.5 億組。今年上半,單季出貨量可望增至 3 億組。不只如此,以往 SK 海力士的 NAND flash 製程不如 DRAM 先進,現在也迎頭趕上。去年 Q1 NAND flash 有 81% 採用 16 奈米製程,去年 Q4 增至 96%。

該公司計劃生產更多高階的 NAND flash 商品,如三階儲存單元(Triple-Level Cell,簡稱 TLC)的 NAND flash。當前 SK 海力士每季產量約為 1 億組,遠不如三星電子的 4.5 億組。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載) 

發表迴響