武漢新芯新廠動土邀請函曝光!240 億美元資金到位,中國記憶體發展正式啟動

作者 | 發布日期 2016 年 03 月 21 日 11:07 | 分類 晶片 follow us in feedly
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中國發展記憶體產業再有新進展!中國武漢新芯將建新記憶體廠,新廠動土儀式就落在本月 28 日,根據科技新報取得的消息,武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠,而非市場謠傳的 DRAM 廠,據悉,國家集成電路產業發展基金(大基金)與湖北省政府已到位,武漢新芯已磨刀霍霍進軍 Flash 市場。




中國擬自建半導體供應鏈,在國安、軍事考量下,記憶體一直是中國亟欲自足發展的領域,並屬意選定一個省市為重點發展區域,先前在六大地方政府競逐下,最終由武漢新芯出線,獲得大基金挹注,統籌整體記憶體產業發展。

據悉大基金與湖北地方政府資金已於二月底到位,武漢新芯將於本月 28 日舉行動土儀式,並已發出邀請函,從邀請函內容顯示,新的廠區將落戶於武漢東潮新技術開發區,投資總金額高達 240 億美元,外傳武漢新芯將先興建 12 吋 DRAM 廠,然根據科技新報取得的消息,武漢新芯將先行建造 Flash 廠,同樣生產 NOR 型 Flash,並逐步移轉至 NAND Flash 產品,甚至 3D NAND Flash,最終目標產能 30 萬片。

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從 3D NAND Flash 彎道超車的野心

從武漢新芯近期的布局或可看出端倪,2015 年 5 月,武漢新芯才與 NOR 記憶體廠商飛索半導體(Spansion)簽訂合作協議與交叉授權發展 3D NAND Flash 技術。從武漢新芯財務長陳少民、營運長洪渢近期出席上海 SEMICON China 與廈門 2015 集成電路產業促進大會的談話,主軸同樣繞在 Flash 產業的布局。

武漢新芯財務長陳少民在 15 日才開幕的上海 SEMICON China 記憶體產業發展論壇上即指出,「日本抓住了 DRAM 發展機遇,韓國抓住了 DRAM 和 NAND 發展機遇,兩國都成為了記憶體行業的領頭羊。如今 3D NAD 技術興起,十三五規劃又將半導體作為發展重點,我們正謂正好走到了一個發展的『風口』勢必把握這一機會。」洪渢早前也稱,3D NAND Flash 將成為中國記憶體晶片產業彎道超車的切入點。武漢新芯、中國的記憶體布局或將從 Flash 展開。

大廠紛紛押寶,價格戰已可預見?

然而,不只武漢新芯,各大記憶體大廠也爭相加大 3D NAND Flash 的投資,英特爾大連廠轉生產 3DNAND Flash,於下半年產能開出,SK 海力士在三月初則傳出投入 15.5 兆韓圜(約 4,500 億新台幣)擴充 NAND Flash 產能,並於 2019 投產, 17 日,東芝也宣布三年內要投資 3,600 億日圓建廠擴產,同樣押寶 3D NAND Flash。

外資 RBC Capital Markets 分析師 Amit Daryanani 近期的報告即發出憂心,在業者紛紛轉進  3D NAND Flash 下,平均銷售價格(ASP)將被拉低,甚至可能出現價格暴跌的情形,使得部分廠商陷入困境。3D NAND Flash 未來是否會掀起一場價格血雨同樣令人關注。

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