武漢新芯新廠動土邀請函曝光!240 億美元資金到位,中國記憶體發展正式啟動

作者 | 發布日期 2016 年 03 月 21 日 11:07 | 分類 晶片 , 會員專區 follow us in feedly


中國發展記憶體產業再有新進展!中國武漢新芯將建新記憶體廠,新廠動土儀式就落在本月 28 日,根據科技新報取得的消息,武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠,而非市場謠傳的 DRAM 廠,據悉,國家集成電路產業發展基金(大基金)與湖北省政府已到位,武漢新芯已磨刀霍霍進軍 Flash 市場。

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