聯電搶攻利基型記憶體,準備於泉州市合資設立 12 吋廠

作者 | 發布日期 2016 年 04 月 18 日 15:35 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly
UMC

隨著中國武漢新芯記憶體基地在 3 月 28 日正式啟動,準備瞄準 NAND Flash 產業,並在 2030 年成為月產能 100 萬片的半導體巨人,原本預估在武漢新芯自己有大規模產能,恐將威脅其他記憶體代工廠的情況下,其他廠商可能陸續退出市場。不過,卻有廠商反其道而行。晶圓代工大廠聯電就宣布,目前正積極規劃切入利基型記憶體代工的市場,而且現正招聘人手中,並且逐步開始準備小量試產。




根據聯電指出,聯電現已針對切入利基型記憶體代工成立專案小組,並由甫加入聯電擔任副總經理的前瑞晶總經理陳正坤領軍。至於,其他包括技術授權、與對岸合資計畫,建廠進度,投資金額等內容,則待雙方簽訂合約後才能公布。

另外,聯電為擴大在記憶體市場的布局,也開始規劃與大陸泉州市政府合作,在泉州興建 12 吋晶圓廠,切入利基型記憶體代工。對此,聯電內部也成立相關的專案小組,進行包括記憶體工程師人才的招募,以及在南科廠區設立小量產線試產等地工作。由於聯電在本周即將召開相關記憶體製程的設備廠商大會,針對南科廠區的小型產線設備進行報價工作。因此,預計聯電的記憶體代工事業將會自台灣開始出發,逐步再向中國市場擴展。

由於聯電一直擁有嵌入式快閃記憶體技術,加上陳正坤進入聯電集團之後,未來除了有機會搶進嵌入式快閃記憶體之外,還有機會在利基型 DRAM 市場一較長短。由於記憶體產業被中國政府列為重點發展,因此包括儲存型快閃記憶體(NAND Flash)及利基型記憶體(DRAM)市場都將快速發展下,聯電希望能藉此取得一席之地。

不過,原本聯電期望由與廈門市政府合資的聯芯半導體,原本也打算爭取列入中國國家級 NAND Flash 和 DRAM 指標企業,但最後卻由清華紫光旗下的同方國芯出線。但是,聯電卻並未因此放棄在中國設立記憶體代工廠的計畫,在泉州市政府積極爭取與聯電合資後,雙方將準備在泉州設立中國南方首座記憶體代工業務,同時協助中國相關利基型記憶體 IC 設計公司成立,建構完整垂直生態供應鏈的方向邁進。

(首圖來源:聯電官網) 

發表迴響