中國武漢新芯發展 3D NAND 用飛的?分析師:2018 量產 48 層堆疊

作者 | 發布日期 2016 年 05 月 10 日 14:45 | 分類 晶片 follow us in feedly

武漢新芯記憶體生產基地在 3 月正式啟動,目標在 2030 年成為月產能百萬片的半導體巨人,科技新報先前曾發表專文,闡述武漢新芯發展記憶體的難點,不過,現在有花旗分析師認為,武漢新芯 2017 年可完成 48 層 3D NAND Flash 生產驗證,到 2018 年就能量產。



3D NAND Flash 被武漢新芯視為在記憶體產業彎道超車的關鍵,搭上美國飛索半導體(Spansion,現已併入 Cypress),由武漢新芯出錢,飛索出技術,武漢新芯得以使用傳統懸浮閘式(Floating Gate)以及開發 3D NAND Flash 重要的電荷儲存式(Charge trap) 技術專利。

據悉,Spansion 實驗室 3D NAND Flash 產品堆疊不到 10 層,不過,花旗集團半導體設備分析師 Atif Malik 在近期報告看好武漢新芯在 3D NAND Flash 的發展,指出其在 2017 年即可完成 48 層 3D NAND Flash 生產驗證,到 2018 年就能量產。而科技新報先前取得的消息,估計 2017 年,武漢新芯將量產 32 層堆疊產品。

3D NAND Flash 技術有其難點,即便最先量產 3D NAND 產品的三星,也在關鍵技術提出後的六年才真正發表 3D NAND Flash 產品「V-NAND」,包含 SK 海力士、東芝/SanDisk、美光/英特爾各家廠商,也在最近一年旗下 3D NAND Flash 產品才陸續進入量產。

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(Source:DRAMeXchange)

目前三星、SK 海力士與東芝/SanDisk 的 3D NAND Flash 技術已來到 48 層,據調研機構 Techinsights 整理的各家廠商技術藍圖(Roadmap),到 2018 年武漢新芯產品量產,三星的堆疊層數將上看 96 層。

2015 年5 月,武漢新芯才與NOR 記憶體廠商飛索半導體(Spansion)簽訂合作協議與交叉授權發展3D NAND Flash,倘若武漢新芯真在 2018 年量產 48 層 3D NAND Flash,相較三星在 2006 年左右即投入 3D NAND Flash 的研發,到 2015 年第四季量產 48 層 3D NAND 產品,等於三星花了九年時間做到的事,武漢新芯花三年就做到。

調研機構 IHS 半導體價值鏈主管 Akira Minamikawa 等人先前唱衰,即便三星、東芝等 NAND Flash 廠商,都花了很長一段時間,並耗費了相當大的資源,才成功量產 3D NAND Flash,武漢新芯要發展 3D NAND Flash 相當困難。

究竟哪個分析師才是有先見之明?武漢新芯是否真能成功,2018 年見分曉!

(首圖來源:武漢新芯官網

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