武漢新芯藉 3D NAND Flash 圓中國記憶體夢，能彎道超車還是會彎道翻車？
作者 | 發布日期 2016 年 04 月 18 日 14:31 | 分類 晶片 , 會員專區 line share follow us in feedly line share
武漢新芯藉 3D NAND Flash 圓中國記憶體夢，能彎道超車還是會彎道翻車？


武漢新芯記憶體基地在 3 月 28 日正式啟動，瞄準記憶體，目標在 2030 年成為月產能 100 萬片的半導體巨人，而一開始武漢新芯鎖定的目標是 NAND Flash，對武漢新芯而言，要用 3D NAND Flash 圓夢，一個躋身記憶體大廠的夢。

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