領先三星、格羅方德!台積電 ISSCC 2017 首揭 7 奈米 FinFET 技術

作者 | 發布日期 2016 年 11 月 15 日 13:39 | 分類 晶片
TSMC 董事長 張忠謀

台積電、三星、格羅方德等半導體大廠開啟在 7 奈米製程爭戰,而現在台積電有望領先群雄在 2017 年國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference,ISSCC)率先發表 7 奈米 FinFET 技術!



全球 IC 設計領域論文發表最高指標國際固態電路研討會(ISSCC)下屆確定於 2017 年 2 月 5~9 日在美國加州登場,台積電設計暨技術平台組織副總侯永清將擔任特邀報告(Plenary Talks)講者。

這次台積電  5 篇論文獲選(美國台積電 1 篇),2 篇論文為類比電路領域,記憶體電路設計則有 3 篇。此次 ISSCC 2017 入選的 208 篇文章中,台灣產學研各界領域有 15 篇,除了台積電 5 篇,台灣 IC 設計一哥聯發科此次有 4 篇,南亞科轉投資 IC 設計公司補丁科技也有 1 篇獲選,其他交通大學 3 篇、台灣大學 2 篇、清華大學 1 篇。

值得關注的是,此次台積電將領先業界在大會上發表 7 奈米 FinFET 技術。揭示迄今最小位元數 SRAM 在 7 奈米 FinFET 的應用,驗證  0.027μm2 256 Mbit SRAM 測試晶片在 7 奈米製程下,能大幅提升手機、平板電腦中央處理晶片運算速度,同時滿足低功率需求。

台積電、三星通常以 SRAM、DRAM 來練兵,先從記憶體下手,當良率提升到一定程度再導入邏輯產品。台積電先前預估 10 奈米年底量產、7 奈米最快 2018 年第一季生產,然在英特爾宣布放緩 10 奈米以下製程投入進度後,台積電與三星在 10 奈米、7 奈米先進製程展開激烈纏鬥。

三星在 10 月初搶先台積電宣布 10 奈米量產,市場近期傳出台積電 7 奈米最快在明年 2017 就可試產、4 月接單,拉升 7 奈米製程戰火。三星在 7 奈米就引進極紫外光(EUV)微影設備,力拚 2017 年年底 7 奈米量產。

而格羅方德則宣布跳過 10 奈米,直接轉進 7 奈米,預估 2017 年下半可進行產品設計定案(tape out),2018 年初開始風險生產(risk production)。

(首圖來源:科技新報攝)

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