(更新)中國有望在 NAND Flash 大進擊?長江存儲與美光正就技術授權協商

作者 | 發布日期 2016 年 11 月 18 日 10:55 | 分類 晶片
下載自路透

中國記憶體發展來勢洶洶,紫光集團與武漢新芯合體的長江存儲將與美國記憶體大廠美光(Micron)合作的傳聞不斷,現在真的迎來突破性發展?



日本媒體日經新聞 17 日報導,長江存儲副董事長、大基金總經理丁文武接受採訪時指出,正就 NAND Flash 新技術與美光展開協商,且不排除 2017 年雙方合作能夠確立,對此事丁文武拒絕再談,但其也強調,長江存儲同樣與日本東芝等 NAND Flash 大廠洽談合作,中國半導體產業相關官員透露,長江存儲與美光協商的優先順序還是高於其他廠商。

全球記憶體市場幾乎由三家獨霸,除了三星、SK 海力士就是美光,美光手握 DRAM 與 NAND Flash 技術,而長江存儲的布局同樣是 DRAM、NAND Flash 兩路並進,但為何雙方僅就 NAND Flash 展開談判,熟稔兩家廠商的資深業內人士分析,DRAM 市場在過往價格血戰後,形成寡占市場由這記憶體三雄獨霸,廠商皆嚴控產能試圖維持價格優勢。而 NAND Flash 在 SSD 等應用帶動下其實發展仍可期,加上 3D NAND Flash 技術漸起,除了美光/英特爾陣營,三星、SK 海力士、東芝/WD 等廠商也在積極建廠擴產,透過跟長江存儲合作,對美光在 NAND Flash 市占的拓展是有利的。

而在紫光與武漢新芯合體組成長江存儲之前,武漢新芯的記憶體基地在今年 3 月舉行動土儀式,該基地五年投資額高達 240 億美元,初步將先行建造 Flash 廠,生產武漢新芯本業 NOR 型 Flash,並逐步生產 NAND Flash,武漢新芯當時已與飛索半導體(Spansion)簽訂技術授權合約,共同開發生產 3D NAND Flash,並預計 2017 年量產 32 層以上堆疊產品,外界推測,現在長江存儲與美光談技術合作,應也是鎖定新技術 3D NAND Flash,在子公司武漢新芯與 Spansion 合作之餘,母公司長江存儲積極尋求其他 NAND Flash 技術合作頗耐人尋味。

據長江存儲、紫光集團董事長趙偉國近日透露,武漢新芯記憶體基地將於今年 12 月正式動工,預計 2018 年建設完成,月產能約 20 萬片,2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。

2016.11.18 21:30 更新:紫光集團 18 日晚間發出聲明指出,旗下子公司長江存儲並未與美光或其他公司就任何議題進行談判,經由長江存儲副董事長丁文武核實,其也未發表任何涉及上述內容的消息。

(首圖為長江存儲、紫光集團董事長趙偉國,圖片來源:達志影像)

 

延伸閱讀:

發表迴響