中國綜合型記憶體廠將成形!Flash 廠兆易創芯整併剛變中資的美 DRAM 廠 ISSI

作者 | 發布日期 2016 年 11 月 19 日 12:22 | 分類 晶片 , 記憶體
下載自shutterstock

中國發展半導體在記憶體始終無法取得突破性進展,現在有關廠商團隊都積極動起來,近來相關整併、建廠消息一樁接一樁。先前科技新報即報導中國 NOR Flash 廠商兆易創新(Gigadevice)可能與武岳峰等中國基金所收購的美國 DRAM 廠 ISSI 合併,從 9 月中停牌迄今的兆易創新今 19 日再發出持續停牌公告,並正式揭露了即將與 ISSI 整併的消息!



今 19 日上海交易所上市的兆易創新再發停牌公告,以正在籌劃重大事項為由,即日起將持續停牌,今年 9 月中開始兆易創新即以重大資產重組為由停牌多時,此次,兆易創新也正式揭露了原因,且攸關中國記憶體產業的大布局

兆易創新公告中指出,公司擬收購北京閃勝投資公司,北京閃勝主要擁有先前以中國私募基金武岳峰為首所收購的美 DRAM 廠商 ISSI(Integrated Silicon Solution)股份,兆易創新若與 ISSI 合併,加上現有的 NOR Flash 技術,將成為 Flash 與 DRAM 兼備的綜合型記憶體廠商。

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▲兆易創新 19 日最新停牌公告文件部分內容,揭示有意收購北京閃勝。

ISSI 主要設計與銷售 SRAM、中低密度 DRAM、EEPROM 等集成電路產品,主要應用於汽車、工業、醫療、網路、行動通訊、電子消費產品。ISSI 為少數中資收購海外半導體企業成功的案例,而在收購 ISSI 之前,中國也僅有從奇夢達(Qimonda)所分拆出來的西安華芯半導體一家 DRAM 廠。

除了合併 ISSI,兆易創新檯面下也正積極籌畫建廠,兆易創新傳出將與中芯前執行長王寧國所主導的合肥長鑫團隊共同在合肥建立記憶體廠,日前,兆易創新招募訊息與合肥長鑫環評文件曝光,間接證實了此消息,從種種文件來看,新廠可能落戶合肥空港經濟示範區,估計 2017 年 7 月動工,從事 12 吋半導體記憶體晶片生產,總投資額高達 494 億人民幣,產能初估一年在 150 萬片(月產能 12.5 萬片)。

(首圖來源:shutterstock)

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